Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |