Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Круковский, С.И., Сыворотка, Н.Я.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Материалы
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Опис
Резюме:	Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.