Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52781 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-527812014-01-07T03:07:35Z Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. Материалы Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов. 2007 Article Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы Материалы |
| spellingShingle |
Материалы Материалы Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов. |
| format |
Article |
| author |
Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. |
| author_facet |
Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. |
| author_sort |
Круковский, С.И. |
| title |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_short |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_full |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_fullStr |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_full_unstemmed |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_sort |
свойства эпитаксиальных слоев gaas, легированных редкоземельными элементами |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Материалы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781 |
| citation_txt |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT krukovskijsi svojstvaépitaksialʹnyhsloevgaaslegirovannyhredkozemelʹnymiélementami AT syvorotkanâ svojstvaépitaksialʹnyhsloevgaaslegirovannyhredkozemelʹnymiélementami |
| first_indexed |
2023-10-18T18:19:20Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:19:20Z |
| _version_ |
1796143897522470912 |