2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52781%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52781%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Круковский, С.И., Сыворотка, Н.Я.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52781%22&qt=morelikethis
2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52781%22&qt=morelikethis
2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:40:56-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response