2025-02-23T08:46:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52813%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:46:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52813%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:46:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T08:46:57-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Босый, В.И., Данилов, Н.Г., Кохан, В.П., Новицкий, В.А., Семашко, Е.М., Ткаченко, В.В., Шпоняк, Т.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813

Similar Items