Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52813 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-528132014-01-08T03:11:31Z Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. Функциональная микро- и наноэлектроника Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм. 2007 Article Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм. |
| format |
Article |
| author |
Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. |
| author_facet |
Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. |
| author_sort |
Босый, В.И. |
| title |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_short |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_full |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_fullStr |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_full_unstemmed |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_sort |
формирование прозрачных омических контактов к р-gan для светоизлучающих диодов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52813 |
| citation_txt |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT bosyjvi formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT danilovng formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT kohanvp formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT novickijva formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT semaškoem formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT tkačenkovv formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT šponâkta formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:19:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:19:24Z |
| _version_ |
1796143900796125184 |