Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

• Дата: 2007
• Автори: Байдуллаева, А., Борщ, В.В., Велещук, В.П., Власенко, А.И., Даулетмуратов, Б.К., Левицкий, С.Н., Мозоль, П.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52875
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью / А. Байдуллаева, В.В. Борщ, В.П. Велещук, А.И. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, С.Н. Левицкий, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 40-43. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью....