Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
Предложен практический способ формирования элементов субмикронных размеров с использованием совмещения с базовыми знаками стандартной проекционной литографии, предварительно созданными на этапе "нулевой" фотолитографии....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52878 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров / А.A. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |