Исследование процессов теплообмена в коллекторных термосифонах коммутационных плат высокой степени интеграции
Экспериментально показано, что встраивание коллекторных термосифонов на основе щелевых каналов в коммутационную плату позволяет в два раза снизить температуру в зоне теплоподвода....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52893 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование процессов теплообмена в коллекторных термосифонах коммутационных плат высокой степени интеграции / Ю.Е. Николаенко, А.А. Цыганский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |