2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52967%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52967%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
Предложена экспериментально-расчетная методика определения напряжений, падающих на каждом из переходов трехбарьерной структуры. Результаты могут быть использованы для оценки параметров структуры....
Saved in:
Main Authors: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Болтаева, Ш.Ш., Зоирова, Л.Х. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52967 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52967%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52967%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:35:49-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)