Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
Предложена экспериментально-расчетная методика определения напряжений, падающих на каждом из переходов трехбарьерной структуры. Результаты могут быть использованы для оценки параметров структуры....
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Болтаева, Ш.Ш., Зоирова, Л.Х. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52967 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Болтаева, Л.Х. Зоирова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 30-35. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)