2025-02-23T12:33:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52968%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:33:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52968%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:33:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:33:31-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой"....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52968
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52968

Similar Items