Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода

• Дата: 2006
• Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Юлдашев, Ш.Ш., Болтаева, Ш.Ш.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52975
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.