Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа....
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52975 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52975 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-529752014-01-15T03:09:40Z Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. Технологические процессы и оборудование Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа. 2006 Article Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52975 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа. |
| format |
Article |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. |
| author_sort |
Каримов, А.В. |
| title |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_short |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_full |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_fullStr |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_full_unstemmed |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_sort |
физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2006 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52975 |
| citation_txt |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT ëdgorovadm fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT ûldaševšš fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT boltaevašš fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda |
| first_indexed |
2023-10-18T18:19:45Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:19:45Z |
| _version_ |
1796143917060587520 |