Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53275 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-532752014-01-19T03:14:48Z Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом Ёдгорова, Д.М. Функциональная микро- и наноэлектроника Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала. 2006 Article Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Ёдгорова, Д.М. Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала. |
| format |
Article |
| author |
Ёдгорова, Д.М. |
| author_facet |
Ёдгорова, Д.М. |
| author_sort |
Ёдгорова, Д.М. |
| title |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_short |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_full |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_fullStr |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_full_unstemmed |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_sort |
механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2006 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275 |
| citation_txt |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT ëdgorovadm mehanizmnasyŝeniâtokastokapolevogotranzistorasrnperehodom |
| first_indexed |
2023-10-18T18:20:26Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:20:26Z |
| _version_ |
1796143947578343424 |