2025-02-23T03:21:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53387%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:21:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53387%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:21:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T03:21:17-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ковтун, Г.П., Щербань, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53387
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!