2025-02-23T09:00:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53387%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:00:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53387%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:00:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:00:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ковтун, Г.П., Щербань, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53387
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-53387
record_format dspace
spelling irk-123456789-533872014-01-20T03:12:33Z Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Техническая политика Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений. 2006 Article Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53387 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Техническая политика
Техническая политика
spellingShingle Техническая политика
Техническая политика
Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.
format Article
author Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
author_facet Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П.
author_sort Ковтун, Г.П.
title Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
title_short Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
title_full Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
title_fullStr Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
title_full_unstemmed Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
title_sort ростовое оборудование для производства полуизолирующего gaas методом чохральского
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2006
topic_facet Техническая политика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53387
citation_txt Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kovtungp rostovoeoborudovaniedlâproizvodstvapoluizoliruûŝegogaasmetodomčohralʹskogo
AT ŝerbanʹap rostovoeoborudovaniedlâproizvodstvapoluizoliruûŝegogaasmetodomčohralʹskogo
first_indexed 2023-10-18T18:20:42Z
last_indexed 2023-10-18T18:20:42Z
_version_ 1796143960227315712