Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
Получены перспективные для детектирования оптических сигналов двухбарьерные структуры и поверхностно-барьерные структуры с модифицированными охранными высокоомными слоями с перекрытием металла....
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53607 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi / Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 39-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015) -
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005) -
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011) -
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)