2025-02-23T10:45:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-54426%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:45:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-54426%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:45:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T10:45:31-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники

На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Викулин, И.М., Ирха, В.И., Коробицын, Б.В., Горбачев, В.Э.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54426
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!