Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники

На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Викулин, И.М., Ирха, В.И., Коробицын, Б.В., Горбачев, В.Э.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Функциональная микроэлектроника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54426
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники / И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 38-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Опис
Резюме:	На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.