Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3—93 ГГц
Представлены результаты экспериментальных исследований. Показано, что поведение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в исследованном частотном диапазоне обусловлено отсутствием в керамике релаксационных процессов, связанных с ориентационной поляризацией, и слабым влия...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56314 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3—93 ГГц / В.И. Часнык, И.П. Фесенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |