Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
Исследована связь между антидиффузионными свойствами пленок на основе TiB₂ и их нанокристаллической структурой, определены оптимальные размеры нанокристаллитов и условия образования нанокристаллической пленки. Применение таких пленок в качестве антидиффузионных слоев в контактах к широкозонным полуп...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56391 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 3-13. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |