Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ

• Дата: 2013
• Автори: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Тимчишин, В.Р., Васькив, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56397
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.