Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды....
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56397 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-56397 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-563972014-02-18T03:15:55Z Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. Технологические процессы и оборудование Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды. Розроблено технологію вирощування двосторонніх високовольтних кремнієвих p—i—n-структур методом рідиннофазної епітаксії в єдиному технологічному процесі. Електрофізичні параметри отриманих структур дозволяють виготовляти на їх основі високовольтні діоди. Silicon p—i—n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper a technique of growing bilateral high-voltage silicon p—i—n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5•1018 cm–3) contact layers: 0.4—0.8 at. % aluminum in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03—0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc. 2013 Article Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56397 315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды. |
| format |
Article |
| author |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. |
| author_facet |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. |
| author_sort |
Вакив, Н.М. |
| title |
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_short |
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_full |
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_fullStr |
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_full_unstemmed |
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_sort |
получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом жфэ |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56397 |
| citation_txt |
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT vakivnm polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT krukovskijsi polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT timčišinvr polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT vasʹkivap polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé |
| first_indexed |
2023-10-18T18:27:34Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:27:34Z |
| _version_ |
1796144268905021440 |