Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента

• Дата: 2011
• Автори: Чепугов, А.П., Катруша, А.Н., Романко, Л.А., Ивахненко, С.А., Заневский, О.А., Марков, А.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2011
• Назва видання: Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
• Теми: Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/63245
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является...