Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов

• Видавець: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
• Дата: 2006
• Автори: Будник, Н.Н., Лебедева, Т.С., Шпилевой, П.Б., Якопов, Г.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2006
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461
• Цитувати: Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние...