Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2006
|
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-6461 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-64612010-03-05T12:00:37Z Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов Будник, Н.Н. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных. Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too. 2006 Article Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1817-9908 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461 583.945 ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных. |
format |
Article |
author |
Будник, Н.Н. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
spellingShingle |
Будник, Н.Н. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
author_facet |
Будник, Н.Н. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
author_sort |
Будник, Н.Н. |
title |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
title_short |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
title_full |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
title_fullStr |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
title_full_unstemmed |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
title_sort |
влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов |
publisher |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
publishDate |
2006 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461 |
citation_txt |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
work_keys_str_mv |
AT budniknn vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov AT lebedevats vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov AT špilevojpb vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov AT âkopovgv vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov |
first_indexed |
2023-10-18T16:35:12Z |
last_indexed |
2023-10-18T16:35:12Z |
_version_ |
1796139373958266880 |