Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов

При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
Дата:2006
Автори: Будник, Н.Н., Лебедева, Т.С., Шпилевой, П.Б., Якопов, Г.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2006
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-6461
record_format dspace
spelling irk-123456789-64612010-03-05T12:00:37Z Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов Будник, Н.Н. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных. Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too. 2006 Article Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1817-9908 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461 583.945 ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных.
format Article
author Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
spellingShingle Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
author_facet Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
author_sort Будник, Н.Н.
title Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_short Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_full Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_fullStr Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_full_unstemmed Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_sort влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
publisher Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
publishDate 2006
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461
citation_txt Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT budniknn vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT lebedevats vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT špilevojpb vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT âkopovgv vliânieéffektablizostinasvojstvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
first_indexed 2023-10-18T16:35:12Z
last_indexed 2023-10-18T16:35:12Z
_version_ 1796139373958266880