RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия

• Видавець: Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України
• Дата: 2009
• Автори: Тищенко, Е.Н., Михальская, С.И., Сергеева, Л.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України 2009
• Назва видання: Цитология и генетика
• Теми: Оригинальные работы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652
• Цитувати: RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллус...