RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия
Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллус...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України
2009
|
Назва видання: | Цитология и генетика |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-66652 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-666522014-07-21T03:01:28Z RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. Оригинальные работы Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. Вивчали вплив оксианіонів ванадію на геном сої (Glycine max L., Merr.) у стійкої до вольфраму (WR) клітинної лінії. Така лінія показує стійкість до оксианіонів V⁵⁺. Встановлено наявність однакових за розміром RAPD-ампліконів, які диференційно синтезуються з ДНК вихідного калюсу та WR-лінії, що послідовно культивується у присутності летальних доз оксианіонів W⁶⁺ і V⁵⁺. Припущено, що в геномі сої є локуси, підвищена нестабільність яких обумовлена дією різних стресорів. The effect of vanadium oxyanions on genome of soybean (Glycine max L., Merr.) in tungsten-resistant cell line was studied. The line is resistant to V⁵⁺-oxyanions. RAPD-amplicons with identical length are differentially synthesized from DNAs of tungsten-resistant cell line as well as of the initial culture was shown by using the lethal dose of oxyanions W⁶⁺ and then V⁵⁺. The presence of instable loci in soybean genome under different stressors is discussed. 2009 Article RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0564-3783 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 57.085.23:575.22:582.736.3 ru Цитология и генетика Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Оригинальные работы Оригинальные работы |
spellingShingle |
Оригинальные работы Оригинальные работы Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия Цитология и генетика |
description |
Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. |
format |
Article |
author |
Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. |
author_facet |
Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. |
author_sort |
Тищенко, Е.Н. |
title |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
title_short |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
title_full |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
title_fullStr |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
title_full_unstemmed |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
title_sort |
rapd-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
publisher |
Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України |
publishDate |
2009 |
topic_facet |
Оригинальные работы |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 |
citation_txt |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
series |
Цитология и генетика |
work_keys_str_mv |
AT tiŝenkoen rapdanalizkletočnyhlinijsoisperekrestnojustojčivostʹûkoksianionamvolʹframaivanadiâ AT mihalʹskaâsi rapdanalizkletočnyhlinijsoisperekrestnojustojčivostʹûkoksianionamvolʹframaivanadiâ AT sergeevale rapdanalizkletočnyhlinijsoisperekrestnojustojčivostʹûkoksianionamvolʹframaivanadiâ |
first_indexed |
2023-10-18T18:50:37Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:50:37Z |
_version_ |
1796145308448587776 |