RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия
Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллус...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України
2009
|
| Назва видання: | Цитология и генетика |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-66652 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-666522014-07-21T03:01:28Z RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. Оригинальные работы Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. Вивчали вплив оксианіонів ванадію на геном сої (Glycine max L., Merr.) у стійкої до вольфраму (WR) клітинної лінії. Така лінія показує стійкість до оксианіонів V⁵⁺. Встановлено наявність однакових за розміром RAPD-ампліконів, які диференційно синтезуються з ДНК вихідного калюсу та WR-лінії, що послідовно культивується у присутності летальних доз оксианіонів W⁶⁺ і V⁵⁺. Припущено, що в геномі сої є локуси, підвищена нестабільність яких обумовлена дією різних стресорів. The effect of vanadium oxyanions on genome of soybean (Glycine max L., Merr.) in tungsten-resistant cell line was studied. The line is resistant to V⁵⁺-oxyanions. RAPD-amplicons with identical length are differentially synthesized from DNAs of tungsten-resistant cell line as well as of the initial culture was shown by using the lethal dose of oxyanions W⁶⁺ and then V⁵⁺. The presence of instable loci in soybean genome under different stressors is discussed. 2009 Article RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0564-3783 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 57.085.23:575.22:582.736.3 ru Цитология и генетика Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Оригинальные работы Оригинальные работы |
| spellingShingle |
Оригинальные работы Оригинальные работы Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия Цитология и генетика |
| description |
Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. |
| format |
Article |
| author |
Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. |
| author_facet |
Тищенко, Е.Н. Михальская, С.И. Сергеева, Л.Е. |
| author_sort |
Тищенко, Е.Н. |
| title |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
| title_short |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
| title_full |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
| title_fullStr |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
| title_full_unstemmed |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
| title_sort |
rapd-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия |
| publisher |
Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Оригинальные работы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 |
| citation_txt |
RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| series |
Цитология и генетика |
| work_keys_str_mv |
AT tiŝenkoen rapdanalizkletočnyhlinijsoisperekrestnojustojčivostʹûkoksianionamvolʹframaivanadiâ AT mihalʹskaâsi rapdanalizkletočnyhlinijsoisperekrestnojustojčivostʹûkoksianionamvolʹframaivanadiâ AT sergeevale rapdanalizkletočnyhlinijsoisperekrestnojustojčivostʹûkoksianionamvolʹframaivanadiâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:50:37Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:50:37Z |
| _version_ |
1796145308448587776 |