RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия
Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллус...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України
2009
|
| Назва видання: | Цитология и генетика |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/66652 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |