Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
Enhanced hydrostatic pressure (HP, up to 1.5 GPa) applied during annealing at up to 1570 K (HT) of silicon with oxygen introduced by implantation (Si:O), exerts pronounced effect on the transformation of oxygen admixture. In particular, HP affects the microstructure of Si:O and a creation of oxygen-...
Збережено в:
| Видавець: | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2006
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70257 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen / A. Misiuk, B.M. Efros // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 4. — С. 49-63. — Бібліогр.: 40 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!