Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения

Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Будзуляк, С.И., Корбутяк, Д.В., Лоцько, А.П., Вахняк, Н.Д., Калитчук, С.М., Демчина, Л.А., Конакова, Р.В., Шинкаренко, В.В., Мельничук, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70571
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine