Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine