Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70615 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-706152014-11-10T03:01:55Z Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. Оптоэлектроника Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур. The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated. 2003 Article Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Оптоэлектроника Оптоэлектроника |
| spellingShingle |
Оптоэлектроника Оптоэлектроника Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур. |
| format |
Article |
| author |
Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. |
| author_facet |
Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. |
| author_sort |
Терлецкая, Л.Л. |
| title |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_short |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_full |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_fullStr |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_full_unstemmed |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_sort |
структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Оптоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615 |
| citation_txt |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT terleckaâll strukturynaosnovegeteroperehodakremnijarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT kaliničenkolf strukturynaosnovegeteroperehodakremnijarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT golubcovvv strukturynaosnovegeteroperehodakremnijarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:55Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:58:55Z |
| _version_ |
1796145683788464128 |