2025-02-23T08:59:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70615%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:59:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70615%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:59:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T08:59:36-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Оптоэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-70615
record_format dspace
spelling irk-123456789-706152014-11-10T03:01:55Z Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. Оптоэлектроника Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур. The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated. 2003 Article Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Оптоэлектроника
Оптоэлектроника
spellingShingle Оптоэлектроника
Оптоэлектроника
Терлецкая, Л.Л.
Калиниченко, Л.Ф.
Голубцов, В.В.
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур.
format Article
author Терлецкая, Л.Л.
Калиниченко, Л.Ф.
Голубцов, В.В.
author_facet Терлецкая, Л.Л.
Калиниченко, Л.Ф.
Голубцов, В.В.
author_sort Терлецкая, Л.Л.
title Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
title_short Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
title_full Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
title_fullStr Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
title_full_unstemmed Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
title_sort структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2003
topic_facet Оптоэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615
citation_txt Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT terleckaâll strukturynaosnovegeteroperehodakremnijarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov
AT kaliničenkolf strukturynaosnovegeteroperehodakremnijarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov
AT golubcovvv strukturynaosnovegeteroperehodakremnijarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov
first_indexed 2023-10-18T18:58:55Z
last_indexed 2023-10-18T18:58:55Z
_version_ 1796145683788464128

Similar Items