2025-02-23T12:23:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70615%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:23:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70615%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:23:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:23:43-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Оптоэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615

Similar Items