Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70615 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2003) -
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003) -
Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем
за авторством: Ваксман, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2003) -
Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004) -
Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
за авторством: Корнейчук, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)