Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационн...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70618 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |