Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационн...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70618 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70618 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-706182014-11-10T03:01:44Z Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. Материалы электроники Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники. This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation. 2003 Article Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70618 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники. |
| format |
Article |
| author |
Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. |
| author_facet |
Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. |
| author_sort |
Храмов, Е.Ф. |
| title |
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_short |
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_full |
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_fullStr |
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_full_unstemmed |
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_sort |
взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70618 |
| citation_txt |
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT hramovef vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT prohorovgv vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT pelihatyjnm vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT gnapak vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:56Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:58:56Z |
| _version_ |
1796145684107231232 |