Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

• Дата: 2003
• Автори: Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70643
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса....