Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления

Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Адарчин, С.А., Кужненков, А.С., Кожитов, Л.В., Косушкин, В.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70744
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления / С.А. Адарчин, А.С. Кужненков, Л.В. Кожитов, В.Г. Косушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 55-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine