Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления
Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70744 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления / С.А. Адарчин, А.С. Кужненков, Л.В. Кожитов, В.Г. Косушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 55-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |