Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"

• Дата: 2002
• Автори: Косяченко, Л.А., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70766
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм.