Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результа...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70766 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70766 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707662014-11-13T03:01:36Z Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. Материалы для микроэлектроники Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм. The Poisson equation for Schottky barrier has been solved by numerical methods, and the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that with the band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge is essential that leads to departure of the relation-ship of potential from the quadratic law and field strength from linear one. The results can be used for analysis of the characteristics of IR detectors for the 3-5 and 8-14 mm spectral regions. 2002 Article Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70766 546.711.49 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм. |
| format |
Article |
| author |
Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. |
| author_facet |
Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. |
| author_sort |
Косяченко, Л.А. |
| title |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_short |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_full |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_fullStr |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_full_unstemmed |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_sort |
исследование контакта "металл—полупроводник на основе нgmnte" |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70766 |
| citation_txt |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kosâčenkola issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT markovav issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT ostapovsé issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT rarenkoim issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:15Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:15Z |
| _version_ |
1796145698477965312 |