Микрочиповые лазеры
Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в неско...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70768 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70768 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707682014-11-13T03:01:39Z Микрочиповые лазеры Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. Функциональная микроэлектроника Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. Passive Q-switched microchip lasers are considered as solid-state microlasers of new generation with semiconductor laser diode pumping. Thanks to of small emitting medium size (~1 mm3) and the good quality characteristics of generated light they are promising radiation sources of coherence single-mode radiation in the fields where short pulses of the few micro-joules output energy with peak power up to several tens of kilowatts are required. Authors present their results in a growth and testing of the epitaxial structures YAG-Nd/YAG-Cr and GGG-Nd/GGG-Cr as active media for passively Q-switched microchip lasers. 2002 Article Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70768 621.373.8.038.825 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. Микрочиповые лазеры Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. |
| format |
Article |
| author |
Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. |
| author_facet |
Матковский, А.О. Сыворотка, И.М. Убизский, С.Б. Мельник, С.C. Вакив, Н.М. Ижнин, И.И. |
| author_sort |
Матковский, А.О. |
| title |
Микрочиповые лазеры |
| title_short |
Микрочиповые лазеры |
| title_full |
Микрочиповые лазеры |
| title_fullStr |
Микрочиповые лазеры |
| title_full_unstemmed |
Микрочиповые лазеры |
| title_sort |
микрочиповые лазеры |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70768 |
| citation_txt |
Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT matkovskijao mikročipovyelazery AT syvorotkaim mikročipovyelazery AT ubizskijsb mikročipovyelazery AT melʹniksc mikročipovyelazery AT vakivnm mikročipovyelazery AT ižninii mikročipovyelazery |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:15Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:15Z |
| _version_ |
1796145698691874816 |