Микрочиповые лазеры
Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в неско...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | Матковский, А.О., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б., Мельник, С.C., Вакив, Н.М., Ижнин, И.И. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70768 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Микрочиповые лазеры / А.О. Матковский, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский, С.C. Мельник, Н.М. Вакив, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 15-21. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001) -
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005) -
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)