Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла....
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70789 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707892014-11-14T03:01:37Z Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. Технология производства Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. 2002 Article Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789 621.382.002 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технология производства Технология производства |
| spellingShingle |
Технология производства Технология производства Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. |
| format |
Article |
| author |
Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. |
| author_facet |
Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. |
| author_sort |
Искендер-заде, З.А. |
| title |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_short |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_fullStr |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full_unstemmed |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_sort |
косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Технология производства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789 |
| citation_txt |
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT iskenderzadeza kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT kasimovfd kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT ismajlovasa kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:18Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:18Z |
| _version_ |
1796145700918001664 |