2025-02-23T06:44:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70789%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:44:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70789%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:44:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T06:44:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Искендер-заде, З.А., Касимов, Ф.Д., Исмайлова, С.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технология производства
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-70789
record_format dspace
spelling irk-123456789-707892014-11-14T03:01:37Z Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Искендер-заде, З.А. Касимов, Ф.Д. Исмайлова, С.А. Технология производства Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. 2002 Article Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789 621.382.002 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технология производства
Технология производства
spellingShingle Технология производства
Технология производства
Искендер-заде, З.А.
Касимов, Ф.Д.
Исмайлова, С.А.
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.
format Article
author Искендер-заде, З.А.
Касимов, Ф.Д.
Исмайлова, С.А.
author_facet Искендер-заде, З.А.
Касимов, Ф.Д.
Исмайлова, С.А.
author_sort Искендер-заде, З.А.
title Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
title_short Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
title_full Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
title_fullStr Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
title_full_unstemmed Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
title_sort косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2002
topic_facet Технология производства
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789
citation_txt Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT iskenderzadeza kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem
AT kasimovfd kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem
AT ismajlovasa kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem
first_indexed 2023-10-18T18:59:18Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:18Z
_version_ 1796145700918001664

Similar Items