Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

• Дата: 2002
• Автори: Искендер-заде, З.А., Касимов, Ф.Д., Исмайлова, С.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Технология производства
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла....