Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия

Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служит...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Завадский, В.А., Ленков, С.В., Лукомский, Д.В., Мокрицкий, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine