Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служит...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70797 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707972014-11-14T03:01:35Z Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. Материалы для микроэлектроники Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·10¹⁵см⁻²) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда. The opportunity of control (management) of parameters of arsenide gallium epilayers with the help of radiation handling by fast neutrons is shown. In technological aspect the irradiation by neutrons as a control facility properties of arsenide gallium epilayers is offered to be divided into two aspects depending on a doze of an irradiation. The first aspect — small dozes of an irradiation up to 1·10¹⁵sm⁻² — the heightening of mobility of charge carriers and increase of speed can serve by a means of improvement of properties of stratums. The second aspect — doze of an irradiation more than 5·10¹⁵sm⁻²— decreases concentration and mobility of charge carriers. 2002 Article Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797 621.37/39.193:539.216:539.211 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·10¹⁵см⁻²) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда. |
| format |
Article |
| author |
Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. |
| author_facet |
Завадский, В.А. Ленков, С.В. Лукомский, Д.В. Мокрицкий, В.А. |
| author_sort |
Завадский, В.А. |
| title |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_short |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_full |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_fullStr |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_full_unstemmed |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| title_sort |
влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797 |
| citation_txt |
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT zavadskijva vliânieoblučeniâbystryminejtronaminaépitaksialʹnyjarsenidgalliâ AT lenkovsv vliânieoblučeniâbystryminejtronaminaépitaksialʹnyjarsenidgalliâ AT lukomskijdv vliânieoblučeniâbystryminejtronaminaépitaksialʹnyjarsenidgalliâ AT mokrickijva vliânieoblučeniâbystryminejtronaminaépitaksialʹnyjarsenidgalliâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:19Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:19Z |
| _version_ |
1796145701765251072 |