Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия

• Дата: 2002
• Автори: Завадский, В.А., Ленков, С.В., Лукомский, Д.В., Мокрицкий, В.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служит...