Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2002
• Автори: Вербицкий, В.Г., Золотаревский, В.И., Николаенко, Ю.Е., Самотовка, Л.И., Товмач, Е.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70809
• Цитувати: Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних...