Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода

Улучшение основных характеристик варикапа достигается с помощью изменения профиля легирующей примеси на металлургической границе p — n перехода.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Головяшкин, А.Н., Соловьев, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70826
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода / А.Н. Головяшкин, В.А. Соловьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 28-30. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine